1.晶振時振時不(bù)振------a:晶振負載與兩端電容不(bù)匹配造成頻(pín)率偏差太大；b:晶振本身(shēn)有問題，寄生&阻抗值波動大&內(nèi)部焊點不(bù)牢等。

2.晶振裝闆上不(bù)行(xíng)，用(yòng)電熱風催一下或者拆下來重新(xīn)裝上去又(yòu)可以了------主要是晶振負載與兩端電容不(bù)匹配造成頻(pín)率偏差太大。電熱風催實際是相當于改變了線路(lù)的(de)雜散電容。

3.晶振負載與晶振兩端的(de)電容的(de)匹配-------CL=(C1*C2)/(C1+C2)+C”

其中CL:晶振的(de)負載電容值； C1 C2：晶振兩端的(de)電容值；C”：線路(lù)雜散電容

晶振的(de)匹配電容的(de)主要作用(yòng)是匹配晶振和振蕩電路(lù)，使電路(lù)易于啟振并處于合理(lǐ)的(de)激勵态下，對頻(pín)率也有一定的(de)“微調”作用(yòng)。對MCU，正确選擇晶振的(de)匹配電容，關鍵是微調晶體的(de)激勵狀态，避免過激勵或欠激勵，前者使晶體容易老化(huà)(huà)影響使用(yòng)壽命并導緻振蕩電路(lù)EMC特性變劣，而後者則不(bù)易啟振，工作亦不(bù)穩定，所以正确地(dì)選擇晶體匹配電容是很重要的(de)。

4.32768HZ晶振出現時間偏差：時間存在(zài)偏差主要是頻(pín)率有偏差，1PPM的(de)頻(pín)率偏差換算成天時間誤差就是0. 0864S。那麼如果需要時間誤差要做(zuò)到準确就最好(hǎo)(hǎo)晶振兩端的(de)電容要按正常配比焊接，同時要晶振供應商幫忙通過QWA檢測找最好(hǎo)(hǎo)的(de)0誤差PPM值，按0誤差的(de)标準來指定供貨的(de)頻(pín)率範圍。

5.32768HZ晶振的(de)的(de)焊接：1）.碰到有将32768HZ晶振的(de)外殼焊在(zài)闆上來實現信号屏蔽防幹擾。這(zhè)樣的(de)結果會(huì)導緻因焊接時間太長(cháng)将晶振內(nèi)部的(de)焊點融化(huà)(huà)，內(nèi)部結構晶片傾斜碰殼而短路(lù)。最好(hǎo)(hǎo)的(de)方法是PCB闆上設有兩個(gè)針孔使用(yòng)銅線捆綁晶振。或者使用(yòng)橡膠粘結劑進行(xíng)。2).晶振彎腳時随意彎曲。最佳的(de)彎曲是用(yòng)手指捏住圓柱晶體的(de)外殼;用(yòng)鑷子(zi)夾住離(lí)晶體基座底部3mm以上的(de)引線處，用(yòng)鑷子(zi)夾住彎曲引線成90°，不(bù)要用(yòng)力拉引線。用(yòng)力拉引線可能造成引線根部的(de)玻璃子(zi)破裂，而産生漏氣導緻電氣性能損壞。如果漏氣了晶振也就基本上是不(bù)能用(yòng)了。

6.因為(wèi)焊接時有阻焊劑等髒污就選擇使用(yòng)超聲波清洗PCBA闆：經超聲波清洗或超聲波焊接會(huì)影響和損壞石英晶體的(de)內(nèi)部結構甚至晶片破損。

7.晶振起振時間長(cháng)，開機不(bù)振關機再開機就起振，耗電量大成品電池不(bù)耐用(yòng)，這(zhè)主要是晶振的(de)電阻太大造成的(de)，低電壓下晶振就無法起振了。

5.32768HZ晶振的(de)的(de)焊接：1）.碰到有将32768HZ晶振的(de)外殼焊在(zài)闆上來實現信号屏蔽防幹擾。這(zhè)樣的(de)結果會(huì)導緻因焊接時間太長(cháng)将晶振內(nèi)部的(de)焊點融化(huà)(huà)，內(nèi)部結構晶片傾斜碰殼而短路(lù)。最好(hǎo)(hǎo)的(de)方法是PCB闆上設有兩個(gè)針孔使用(yòng)銅線捆綁晶振。或者使用(yòng)橡膠粘結劑進行(xíng)。2).晶振彎腳時随意彎曲。最佳的(de)彎曲是用(yòng)手指捏住圓柱晶體的(de)外殼;用(yòng)鑷子(zi)夾住離(lí)晶體基座底部3mm以上的(de)引線處，用(yòng)鑷子(zi)夾住彎曲引線成90°，不(bù)要用(yòng)力拉引線。用(yòng)力拉引線可能造成引線根部的(de)玻璃子(zi)破裂，而産生漏氣導緻電氣性能損壞。如果漏氣了晶振也就基本上是不(bù)能用(yòng)了。

6.因為(wèi)焊接時有阻焊劑等髒污就選擇使用(yòng)超聲波清洗PCBA闆：經超聲波清洗或超聲波焊接會(huì)影響和損壞石英晶體的(de)內(nèi)部結構甚至晶片破損。

7.晶振起振時間長(cháng)，開機不(bù)振關機再開機就起振，耗電量大成品電池不(bù)耐用(yòng)，這(zhè)主要是晶振的(de)電阻太大造成的(de)，低電壓下晶振就無法起振了。